Características
• Alta Velocidade: tPD = 7 ns (Típico) a VCC = 5 V
• Baixa Dissipação de Energia: ICC = 1 A (Máx.) a TA = 25°C
• Alta Imunidade a Ruído
• Atrasos de Propagação Balanceados (tpLH = tpHL)
• Impedância de Saída Simétrica (IOH = IOL = 2 mA)
• Complexidade do Chip: < 100 FETs
• Sufixo −Q para Aplicações Automotivas e Outras que Requerem Requisitos Exclusivos de Mudança de Local e Controle; Qualificação AEC−Q100 e
Compatibilidade com PPAP
• Estes Dispositivos São Isentos de Pb, Halogênio/BFR e em Conformidade com RoHS