SMD MOSFET FDG6332C N&P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET TRANSISTORS SMT

Características

 Q1 0,7 A, 20 V
 RDS(ON) =300 m @ VGS = 4,5 V
 RDS(ON) = 400 m @ VGS = 2,5 V
 Q2 −0,6 A, −20 V
 RDS(ON) = 420 m @ VGS = −4,5 V
 RDS(ON) = 630 m @ VGS = −2,5 V
 Carga de porta baixa
 Tecnologia de vala de alto desempenho para RDS(ON) extremamente baixo
 Pacote SC70−6: pegada pequena (51% menor que SSOT−6); Baixo
Perfil (1 mm de espessura)
 Nível de proteção ESD: HBM >75 V, MM >25 V, CDM >1,5 kV
 Esses dispositivos são livres de chumbo e estão em conformidade com RoHS