Características
• Proteção contra sobretensão de até 28 V
• Transistor NMOS On-Chip Low RDS(on): 65 m
• Bomba de carga interna
• Bloqueio de sobretensão (OVLO)
• Bloqueio de subtensão (UVLO)
• Partida suave
• Saída FLAG de alerta
• Entrada EN de desligamento
• Conformidade com IEC61000−4−2 (nível 4)
8,0 kV (contato)
15 kV (ar)
• Classificações ESD: Modelo de máquina = B
Modelo de corpo humano = 2
• Pacote DFN6 1,6x2 mm
• Este é um dispositivo sem chumbo