CARACTERÍSTICAS
• RDS(ON), VGS@10V, IDS@500mA=3Ω
• RDS(ON), VGS@4,5V, IDS@200mA=4Ω
• RDS(ON), VGS@2,5V, IDS@100mA=6Ω
• Tecnologia Avançada de Processo de Vala
• Design de Célula de Alta Densidade para Resistência de Ligação Ultrabaixa
• Corrente de Fuga Muito Baixa em Condição Desligada
• Especialmente Projetado para Sistemas Operados por Bateria, Drivers de Relés de Estado Sólido: Relés, Displays, Lâmpadas, Solenoides, Memórias, etc.
• Protegido contra ESD
• Em conformidade com as diretivas RoHS 2002/95/EC da UE