Características
MOSFET de canal N duplo
Baixa resistência de ativação
Baixa tensão de limiar de gate
Baixa capacitância de entrada
Rápida velocidade de comutação
Baixo vazamento de entrada/saída
Pacote de montagem em superfície ultrapequeno
Totalmente isento de chumbo e totalmente em conformidade com a RoHS (Notas 1 e 2)
Livre de halogênio e antimônio. Dispositivo "verde" (Nota 3)
Para aplicações automotivas que exigem controle específico de alterações
(por exemplo: peças qualificadas para AEC-Q100/101/200, compatíveis com PPAP
e fabricadas em instalações com certificação IATF 16949),
consulte a peça de grau automotivo relacionada (sufixo Q).
Uma lista pode ser encontrada em
https://www.diodes.com/products/automotive/automotiveproducts/.
Esta peça é qualificada de acordo com os padrões JEDEC (como referências em
AEC-Q) para Alta Confiabilidade.
https://www.diodes.com/quality/product-definitions/
Uma peça compatível com o setor automotivo está disponível em uma
Ficha de Dados Separada (2N7002DWQ)