Características
• –8,8 A, –30 V RDS(ON) = 20 mW @ VGS = –10 V
RDS(ON) = 35 mW @ VGS = –4,5 V
• Baixa carga de porta (17 nC típica)
• Alta velocidade de comutação
• Tecnologia de trincheira de alto desempenho para RDS(ON) extremamente baixo
• Alta capacidade de gerenciamento de potência e corrente