Características
Baixa tensão de offset: 50 µV (máximo)
Baixa deriva térmica (drift): 0,5 µV/°C (máximo)
Baixa corrente de polarização de entrada (Input Bias Current): 5 nA (máximo)
Alta rejeição de modo comum (CMR): 120 dB (mínimo)
Entradas protegidas até ±40 V
Ampla faixa de alimentação: ±2,25 V a ±18 V
Baixa corrente de repouso (Quiescent Current): 700 µA
Encapsulamento plástico DIP de 8 pinos (SO-8)