CARACTERÍSTICAS
*Projeto de processamento em lote, excelente dissipação de energia, proporcionando melhor corrente de fuga reversa e resistência térmica.
* Aplicação de superfície de baixo perfil para otimizar o espaço da placa.
* Alta capacidade de corrente, baixa queda de tensão direta.
* Anel de proteção contra sobretensão.
* Comutação ultrarrápida.
* Chip planar epitaxial de silício, junção de metal-silício.
* Peças sem chumbo atendem aos padrões ambientais MIL-STD-19500/228
*O sufixo "-H" indica peças sem halogênio, ex. FM5820-AL-H.