CARACTERÍSTICAS
• Design de célula de alta densidade para baixo RDS(ON).
• Comutação de pequenos sinais controlada por tensão.
• Robusto e confiável.
• Capacidade de alta corrente de saturação.
• Comutação de alta velocidade.
• Entrada compatível com lógica CMOS.
• Sem fuga térmica.
• Sem ruptura secundária