Características
•R, V @10V, I @500mA=3,0 DS(ON) GS D
•R, V @4,5V, I @200mA=4,0 DS(ON) GS D
• Proteção ESD 2ΚV (modo corpo humano)
• Tecnologia avançada de processo de trincheira.
• Design de célula de alta densidade para resistência de ativação ultrabaixa.
• Corrente de fuga muito baixa em condição desligada
• Especialmente projetado para sistema operado por bateria,
drivers de relés de estado sólido, relés, visores, lâmpadas,
solenoides, memórias, etc.
• Em conformidade com as diretivas RoHS 2002/95/EC da UE.
• O sufixo "-H" indica peça livre de halogênio, ex. 2N7002K-H.