CARACTERÍSTICAS
• Baixa resistência de ativação: 2
• Baixo limiar: 2 V (típico)
• Baixa capacitância de entrada: 25 pF
• Rápida velocidade de comutação: 25 ns
• Baixo vazamento de entrada e saída
• MOSFET de potência TrenchFET®
• Proteção ESD de 2000 V
• Categorização do material: para definições de conformidade, consulte www.vishay.com/doc?99912